9926 SOP-8低压大芯片双N沟道场效应管

9926mos管是性能很高的沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDSON和栅极电荷，9926mos管符合RoHS和绿色产品要求，并获得全面的功能可靠性认证。

9926mos管先进的高单元密度沟槽技术z超低栅极电荷z出色的Cdv / dt效应下降z绿色器件可用，双N沟道场效应管，VDS=20V、IDS=6A、PD=2W。

9926低压mos绝对*大额定值：

湾脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2％，超出“绝对*大额定值”下列出的应力可能会对器件造成永久性损坏，这些仅是压力等级和功能操作不暗示设备在这些或任何其他条件下超出规范操作部分所述的条件，暴露于绝对*大值延长期的额定条件可能会影响设备的可靠性。

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